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集微網公開課:突破高帶寬瓶頸,看芯動(dòng)國産先進IP如(rú)何賦能中(zhōng)國芯

  • 2020年12月(yuè)23日 來源:“愛集微”

轉載自集微網 (點擊此處查看原文(wén))

當前,如(rú)何快速把握機會,滿足高端芯片市場需求?有哪些先進工藝新技術(shù)能助力國産芯片打造核心競争力,避免不必要的卡脖子(zǐ)風險,又如(rú)何在整體産能緊缺時确保産品快速量産面市?

12月(yuè)22日晚,來自中(zhōng)國一站(zhàn)式IP和(hé)芯片定制領軍企業(yè)——芯動(dòng)科技的一線技術(shù)專家高專和(hé)何穎,攜數十億顆高性能、高安全、高可(kě)靠IP和(hé)定制芯片成果,亮(liàng)相集微直播間,帶來了以《高性能/高可(kě)靠國産先進IP,賦能芯未來》為主題的精彩演講。此次直播在線觀看人數突破1.7萬,芯動(dòng)科技一系列賦能性熱門新技術(shù)被兩位專家逐一快速剖析,播者幹貨滿滿,聽者熱情高漲!


先進DDR技術(shù)之DDR5,LPDDR5,GDDR6/6X,HBM3/2E,Chiplet

首先,國内頂尖高速DDR技術(shù)專家高專深度解讀了業(yè)界最前沿的高帶寬技術(shù),從DDR5/4、LPDDR5/4到GDDR6/6X,以及HBM3/2E、高性能Chiplet。

為何DDR技術(shù)至關(guān)重要?

衆所周知,當今CPU/GPU/AI等高性能SOC中(zhōng)普遍采用馮·諾依曼架構,而SOC芯片的核心、也是最複雜的性能瓶頸之一,在于内存和(hé)互聯帶寬。DDR、LPDDR、GDDR、HBM、Serdes等高帶寬存儲技術(shù)作為連接計算和(hé)存儲兩個(gè)體系的橋梁,則能有效突破“内存牆”。新一代的DDR技術(shù)總是伴随着更大容量、更高帶寬、更低功耗、更高穩定性,而最新的HBM技術(shù)還能擺脫封裝對内存帶寬的限制,Chiplet則能擺脫封裝對芯片性能的限制,使産品達到最佳性能和(hé)長生命周期,對當前突破AI和(hé)CPU/GPU/NPU等計算芯片的算力瓶頸具有重要戰略意義。

此外,全球前五大半導體公司有3家Memory公司,多家主營業(yè)務都與DDR相關(guān),可(kě)見DDR技術(shù)在整個(gè)集成電路(lù)行業(yè)有着舉足輕重的作用。

因此,在各種跨工藝、跨封裝挑戰下(xià),選擇高性能、高可(kě)靠、高性價比的DDR和(hé)Chiplet新技術(shù),對高性能産品而言至關(guān)重要。

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國産DDR IP的巅峰之作?

作為一站(zhàn)式IP和(hé)芯片定制領軍企業(yè),芯動(dòng)科技在先進工藝和(hé)高速接口技術(shù)上積累深厚、規模量産,具備全球競争力和(hé)創新能力,可(kě)提供一系列Chip-to-Chip & Die-to-Die互連解決方案

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目前,芯動(dòng)科技的最新設計已在12/7/5nm上進行授權和(hé)流片應用。

在突破内存牆技術(shù)上,芯動(dòng)團隊攻堅克難、碩果累累。2018年與英偉達同步,率先推出業(yè)界首款GDDR6 IP;2019年發布高速32Gbps SerDes Memory;2020年國内首發自主标準的INNOLINK Chiplet和(hé)高速HBM3/2E(2.8Gbps以上)技術(shù),發起成立了中(zhōng)國Chiplet産業(yè)标準聯盟;并即将全球首發GDDR6X(PAM4,21Gbps)商(shāng)用IP

其中(zhōng)INNOLINK Chiplet技術(shù)支持三種模式Chiplet的靈活定制應用,大大優化了功耗、延時、面積,使個(gè)性化計算芯片和(hé)AIot芯片得到更為靈活的架構和(hé)技術(shù)支持

從設計到量産,一站(zhàn)式高速接口IP及高性能計算芯片定制解決方案

直播後半場,高性能芯片定制專家何穎精彩演繹了從設計到量産,一站(zhàn)式IP和(hé)芯片定制的新思路(lù)和(hé)新方案。

IC企業(yè)需要什麼?

受“鍊、網、雲”智能應用驅動(dòng),AIoT、5G、汽車(chē)、海量視頻、大數據交互加速落地,對高性能、高智能、高安全、高能效CPU/GPU/NPU/SOC的需求龐大,從而衍生了對FinFET / FDSOI先進工藝節點和(hé)高帶寬内存技術(shù)的更大渴求。在工藝和(hé)帶寬的雙重挑戰下(xià),芯片流片成本高且風險大,因此IC企業(yè)亟需工藝經驗豐富、貼近客戶需求、定制能力強、商(shāng)務模式靈活且能兜底風險的IP提供商(shāng),實現高可(kě)靠性、高性價比和(hé)快速集成,保證系統一次量産成功。

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何以國産IP能順勢而上?

經過14年規模量産、200多次流片、50億顆以上SOC芯片打磨,芯動(dòng)科技的一流高可(kě)靠全系列高速接口IP定制服務,覆蓋各大代工渠道(台積電/三星/格芯/中(zhōng)芯國際/聯華電子(zǐ)/英特爾/上海華力等)從0.18微米到5納米工藝節點,包括DDRn、USB3.2/3.1/2.0、HDMI2.1、SerDes(含PCIe5/4/3,USB3.1,SATA,RapidIO,GMII)、eDP/VBO、MIPI、Audio Codec等,可(kě)根據客戶應用場景進行PPA優化,一步到位交鑰匙快速集成,确保高可(kě)靠性、高性價比、低BOM成本、信息安全,全程為客戶産品成功保駕護航,實現芯片差異化競争優勢。

在先進工藝(55nm到5nm) SOC挑戰IP集成、整體産能緊缺的今天,“有設計拿不到産能”或"有市場搞不定設計”成為IC企業(yè)的痛點。克服重重挑戰,以終為始,把設計到量産全流程做到極緻,做到高性能、高性價比、高可(kě)靠性,特别是在先進工藝上能獲得産能,順利抓住市場窗口,快速量産回本,是IC設計公司的共性需求,也是芯動(dòng)一站(zhàn)式芯片定制和(hé)量産服務的競争力所在

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芯動(dòng)科技靈活的一站(zhàn)式ASIC定制和(hé)量産服務,跨工藝跨封裝技術(shù),從需求到産品端到端地滿足客戶需求,從規格、設計到流片量産以及封裝的芯片全流程,覆蓋全球各主流代工廠的先進工藝,包括從22 納米、14/12 納米、10 納米、7 納米到5 納米等FinFET/FDX頂級工藝節點,涉及高性能計算、汽車(chē)電子(zǐ)&多媒體、IoT物聯網等多個(gè)領域,可(kě)助力客戶跨越鴻溝,抓住市場風口

芯動(dòng)科技還即将全球首發GDDR6X商(shāng)用IP解決方案,并推出高性能圖形處理器(qì)GPU産品“風華”系列。該獨立芯片已設計完畢,将很快面市,對标國際主流,為桌面和(hé)數據中(zhōng)心應用提供強大的算力支持

關(guān)于芯動(dòng)科技(INNOSILICON)

芯動(dòng)是中(zhōng)國一站(zhàn)式IP和(hé)芯片定制生态賦能型領軍企業(yè)。芯動(dòng)團隊锲而不舍、厚積薄發,14年磨一劍,完成了全球各大主流半導體工藝從0.18微米到5納米工藝高速接口IP核的一站(zhàn)式全覆蓋。

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