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芯動(dòng)科技全套IP産品組合獲得格芯12LP FinFET平台的高性能應用認證

  • 2019年10月(yuè)24日

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中(zhōng)國上海,2019年10月(yuè)24日——全球領先的高端混合電路(lù)芯片/IP設計公司芯動(dòng)科技(INNOSILICON)今天宣布,其多樣的IP組合已通(tōng)過格芯® (GF®)12nm 領先性能 (12LP)平台的認證,将賦能設計人員能為包括人工智能、虛拟現實以及高端智能手機和(hé)網絡基礎設施在内的各類運算密集型應用提供差異化的産品。芯動(dòng)科技的GDDR6已完成設計,并已基于格芯12LP進行流片。


在大數據和(hé)認知計算的時代,格芯的12LP平台可(kě)為客戶提供超高性能和(hé)數據處理能力,以滿足計算、連接和(hé)存儲(CCS)、人工智能/機器(qì)學習、高端消費級和(hé)汽車(chē)解決方案的需求。與上一代FinFET相比,該平台的邏輯密度提高10%,性能提升超過15%,并包含專門針對汽車(chē)電子(zǐ)和(hé)RF/模拟應用設計、面向市場的全新解決方案。格芯針對芯動(dòng)科技IP組合的資(zī)格認證可(kě)确保每個(gè)IP都經過芯片驗證,從而幫助設計人員降低将标準接口集成到其SoC中(zhōng)的風險。通(tōng)過這一資(zī)格認證,客戶可(kě)以選擇他們心儀的IP解決方案,确保其設計信心并縮短(duǎn)産品上市時間。

格芯生态圈合作夥伴副總裁Mark Ireland表示:“我們觀察到針對差異化、多功能FinFET解決方案的需求正在不斷增長,客戶希望借此滿足移動(dòng)和(hé)高端計算應用的帶寬與功率要求。芯動(dòng)科技和(hé)格芯攜手合作,使用先進的工藝開發IP解決方案。這些工藝能夠提供功能強大且具有成本效益的解決方案,幫助我們共同的客戶進一步向高增長的市場提供差異化的産品。”

 

芯動(dòng)科技首席執行官Gordon Ao表示:“我們與格芯建立了長期合作關(guān)系,并在全球通(tōng)過格芯的先進FinFET平台提供各類高速、高性能IP解決方案。基于格芯12LP的芯動(dòng)科技全套高速混合信号IP不僅都通(tōng)過了芯片認證,而且這些IP正在為許多重要客戶産品提供了關(guān)鍵性價值,這使我們深受鼓舞。”


芯動(dòng)科技基于格芯12LP工藝的IP産品組合包括以下(xià)類型:

芯動(dòng)科技基于格芯12LP工藝的IP組合

IP類型-類别

描述

PHYS|DDR

DDR2/3/4、LPDDR2/3/4組合PHY

PHY|EDP

EDP(嵌入式DisplayPort)v1.4a PHY

PHY|HDMI

HDMI 2.0發射器(qì)PHY

PHY|MIPI

MIPI D-PHY v1.2/LVDS Rx PHY

PHY|MIPI

MIPI D-PHY v1.2/LVDS Tx PHY

PHY|MIPI

MIPI M-PHY v1.0 PHY

PHY|USB2

USB2.0 PHY

PHY|SERDES

6G多協議PHY (PCIe2/USB3/SATA3)

PHY|V-By-One HS

V-By-One HS v1.4發射器(qì)PHY


關(guān)于芯動(dòng)科技(INNOSILICON)


芯動(dòng)科技是一家全球領先的高端混合電路(lù)芯片/IP設計公司,專注于高性能PHY、HD混合信号IP産品,擁有領先的市場份額。客戶涵蓋瑞芯微、微軟、AMD、亞馬遜、Cypress和(hé)Microchip等全球領先的企業(yè)。我們的IP經過高度優化,可(kě)用于格芯、三星、TSMC、SMIC、UMC和(hé)Fujitsu工藝,涵蓋0.13/0.11um、90nm、65/55nm、40nm、28nm、16nm、14/12nm一直到7nm。如(rú)需了解更多信息,請訪問(wèn)www.innosilicon.com。



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